2026年6月30日，捷佳伟创宣布，自研高精度掩膜喷墨打印设备正式交付国内头部晶硅光伏企业，完成该品类国产装备商业化落地，填补国产BC电池量产线精密图形化装备缺口。

一、BC电池量产的关键卡点：背面Poly钝化层图形化

背接触BC电池将正负电极全部布置在电池背面，消除正面栅线遮光损耗，理论效率上限优于TOPCon、HJT，是高效晶硅电池重点发展方向。

而制约BC大规模量产的核心难点，集中在背面多晶硅钝化层图形化。工序需要在钝化层开出叉指沟槽，构建硅基底与金属电极的欧姆接触，加工精度、硅片损伤、制造成本，直接决定电池效率、良率与单瓦成本。

传统两条主流路线各有短板。

 

激光开槽节拍快，但属于热加工，容易造成硅晶格损伤、隐裂，降低开路电压，激光头运维成本高。

干膜光刻图形精度高，但工序多达5步以上，干膜耗材昂贵、材料浪费大，仅适合小批量高端生产，长期存在精度、成本难以兼顾的行业痛点。

二、掩膜喷墨工艺：低温全湿法，无热损伤图形化

捷佳伟创这套掩膜喷墨设备采用  掩膜喷墨打印+HF选择性刻蚀+强碱脱膜  全湿法低温工艺。

第一步掩膜沉积：压电喷头在硅片Poly层精准打印抗刻蚀掩膜，形成叉指图形；

第二步选择性刻蚀：酸液刻蚀无掩膜区域，去除指定位置钝化层；

第三步脱膜清洗：强碱去除残留掩膜并清洗硅片。

全程非接触加工，不存在热应力、机械应力，从根源规避硅片损伤问题。

核心硬件与关键指标

搭载工业级多通道压电喷头，打印重复定位精度±2μm；

掩膜线宽50–200μm可调，适配不同BC电池设计；

墨滴直径稳定在15–50μm，保障图形边缘平整；

掩膜材料利用率＞95%，大幅优于干膜光刻。

设备兼容182/210mm主流硅片，适配TBC、IBC等背接触电池结构，可对接现有湿法产线，无需大规模产线改造。内置AOI视觉在线检测，实时识别缺陷、校准工艺参数，保障量产良率稳定。

三、产业价值：补齐BC整线装备拼图

本次交付标志捷佳伟创完成从单一设备供应商，向BC全工艺解决方案服务商的转型。公司原本在TOPCon清洗、扩散、镀膜设备具备成熟能力，掩膜喷墨设备落地补齐BC图形化关键一环，实现BC电池全工序装备覆盖。

喷墨属于平台型底层技术，这套压电喷墨技术底座可跨赛道复用。此前公司已推出钙钛矿喷墨成膜设备，后续还可拓展至半导体先进封装、高端PCB精密制造，开辟多条增长曲线。

商业模式上，企业转型提供  设备+墨水+成套工艺  一体化服务，不再只销售硬件，依靠耗材、工艺服务形成持续性收入，优化盈利结构。

 

 

四、行业趋势

掩膜喷墨图形化方案，为BC电池提供了兼顾高精度、低损伤、低成本的全新选项。随着该设备在头部产线持续验证迭代，有望推动BC电池从GW级中试，迈向大规模产业化。同时光伏喷墨工艺的成熟，也将持续放大喷墨微纳沉积技术在新能源领域的应用空间。